سامسونج تعتمد ذاكرة عشوائية فائقة الكفاءة في سلسلة Galaxy S25
هذا الموضوع سامسونج تعتمد ذاكرة عشوائية فائقة الكفاءة في سلسلة Galaxy S25 ظهر على التقنية بلا حدود.
بعد استخدام LPDDR5 في سلسلة Galaxy S23 والانتقال إلى LPDDR5X في طرز Galaxy S24، تستعد سامسونج لتحقيق قفزة جديدة في سلسلة Galaxy S25 من خلال تحسين كفاءة الذاكرة العشوائية (RAM).
ووفقًا لتقرير من ETNews، اختارت سامسونج شرائح RAM مصنعة باستخدام عقدة أصغر. في سلسلة Galaxy S24 اعتمدت الشركة على شرائح RAM بحجم 13 نانومتر من إنتاج سامسونج.
أما بالنسبة لسلسلة Galaxy S25 فمن المتوقع أن تعتمد على شرائح بحجم 12 نانومتر مع توفير الطلب الأولي من شركة Micron. في المستقبل تخطط سامسونج لزيادة نسبة الشرائح المصنعة داخليًا لتلبية احتياجات السلسلة.
وسيساهم استخدام عقدة 12 نانومتر في تصنيع شرائح RAM في تحسين الكفاءة واستهلاك الطاقة. ستقلل هذه التقنية الجديدة من الحرارة الناتجة عن الذاكرة مما ينعكس إيجابيًا على الأداء العام للأجهزة. ومن المتوقع أن تُقرن هذه الذاكرة بمعالج Snapdragon 8 Elite في جميع الطرازات المرتقبة.
من الأخبار المثيرة لمحبي هواتف سامسونج الصغيرة سيأتي الطراز الأساسي Vanilla S25 مزودًا بذاكرة RAM بسعة 12 جيجابايت وهو تحسن ملحوظ مقارنةً بالجيل السابق الذي كان يكتفي بـ 8 جيجابايت. هذه الزيادة في السعة إلى جانب الكفاءة المحسنة للشرائح الجديدة ستوفر تجربة أداء أقوى وأسرع للمستخدمين.
باستخدام شرائح RAM أكثر كفاءة وارتباطها بمعالج رائد مثل Snapdragon 8 Elite تسعى سامسونج لتقديم تجربة أداء متميزة تضع سلسلة Galaxy S25 في مقدمة المنافسة.
هذا الموضوع سامسونج تعتمد ذاكرة عشوائية فائقة الكفاءة في سلسلة Galaxy S25 ظهر على التقنية بلا حدود.
